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P-325

Solderless splices PARALLEL

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JST

JST集团

P-325

PARALLEL

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Silicon NPN RF Power Transistor 50W @ 30MHz

Description: The NTE325 is a silicon NPN RF power transistor in a T72H type package designed for power amplifier applications in industrial, commercial, and amateur radio equipment to 30MHz. Features: ● Specified 12.5V, 30MHz Characteristics: Output Power = 50W Minimum Gain = 11dB Efficiency =

NTE

Rectifier diodes Schottky barrier

GENERAL DESCRIPTION Dual schottky rectifier diodes intended for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies. The PBYR325CTD series is supplied in the SOT428 surface mounting package. FEATURES • Low forward volt drop • Fast switching • Reverse surge ca

PHILIPS

飞利浦

Dual Voltage Regulator

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NSC

国半

Dual Voltage Regulator

文件:222.23 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

文件:95.63 Kbytes Page:6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

更新时间:2026-8-2 16:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
JST/日压
2608+
/
470984
一级代理,原装现货

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    特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信,仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线,实现全衰减范围组合。模具制造,使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程(S20)。它是完全

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