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HCT802TX中文资料

厂家型号

HCT802TX

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2

功能描述

Dual En hance ment Mode MOSFET

MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD

数据手册

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生产厂商

OPTEK

HCT802TX数据手册规格书PDF详情

Description

HCT802 offers an N-Channel and PChannel MOS transistor in a hermetic ceramic surface mount package. The devices used are similar to industry standards 2N6661 N-Channel device and VP1008 P-Channel device. These two enhancement mode MOSFETS are particularly well matched for VDS, IDS(on), RDS(on) and Gfs.

Features

• 6 pad surface mount package

• VDS = 90V

• RDS(on) <5W

• ID(on) N-Channel = 1.5A P-Channel = 1.1A

• Two devices selected for VDS, ID(on) and RDS(on) similarity

• Full TX Processing Available

• Gold plated contacts

HCT802TX产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HCT802TX

  • 功能描述

    MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-11-4 16:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Optek(TTElectronics)
5
全新原装 货期两周
Optek (TT Electronics)
2022+
1
全新原装 货期两周
TT
25+
SMD-6
26
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TT Electronics/Optek Technolog
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6SMD
9000
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