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PZT3906T1G中文资料

PZT3906T1G
厂家型号

PZT3906T1G
文件大小

182.38Kbytes
页面数量

7页
功能描述

General Purpose Transistor PNP Silicon

两极晶体管 - BJT 0.2A 40V 1.5W PNP
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

PZT3906T1G数据手册规格书PDF详情

General Purpose Transistor

PNP Silicon

Features

• Pb−Free Package is Available

PZT3906T1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PZT3906T1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 0.2A 40V 1.5W PNP

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

PZT3906T1G供应商...

更新时间：2026-2-21 9:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
PZT3906T1G
onsemi(安森美)
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TO-261-4,TO-261AA
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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