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NVMFD5C650NLT1G中文资料

厂家型号

NVMFD5C650NLT1G

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233.21Kbytes

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7

功能描述

MOSFET ??Power, Dual N-Channel 60 V, 4.2 m, 111 A

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NVMFD5C650NLT1G数据手册规格书PDF详情

Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• NVMFD5C650NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical

Inspection

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

更新时间:2026-2-5 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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