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NVD6416ANT4G中文资料

厂家型号

NVD6416ANT4G

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235.14Kbytes

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8

功能描述

MOSFET – Power, N-Channel 100 V, 17 A, 81 m

MOSFET

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NVD6416ANT4G数据手册规格书PDF详情

Features

• Low RDS(on)

• High Current Capability

• 100 Avalanche Tested

• NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

NVD6416ANT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NVD6416ANT4G

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-17 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
25+
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ONSEMI/安森美原装特价NVD6416ANT4G即刻询购立享优惠#长期有货
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360000
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只做原装正品
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