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NVD5890NT4G中文资料

厂家型号

NVD5890NT4G

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7

功能描述

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK

MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NVD5890NT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NVD5890NT4G

  • 功能描述

    MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-11 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
N/A
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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25+
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ONSEMI/安森美
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DPAK-3
360000
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ONSEMI/安森美
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NK/南科功率
2025+
DPAK-3
986966
国产