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NVD5806NT4G中文资料

厂家型号

NVD5806NT4G

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7

功能描述

Power MOSFET

MOSFET POWER MOSFET 40V

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NVD5806NT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NVD5806NT4G

  • 功能描述

    MOSFET POWER MOSFET 40V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-2 23:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
TO-252
3024
原装正品,现货库存,1小时内发货
ON
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
三年内
1983
只做原装正品
ON
24+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ON/安森美
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
VB
21+
DPAK
10000
原装现货假一罚十
ON/安森美
2022+
DPAK-3
12888
原厂代理 终端免费提供样品
ON/安森美
22+
TO-252
9000
原装正品,支持实单!
ON(安森美)
23+
标准封装
8000
正规渠道,只有原装!