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NTLJS1102PTBG中文资料

厂家型号

NTLJS1102PTBG

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7

功能描述

Power MOSFET ?? V, ??.1 A, COOL Single P?묬hannel, 2x2 mm, WDFN package

MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTLJS1102PTBG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTLJS1102PTBG

  • 功能描述

    MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-1 12:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
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DFN2020-6
360000
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