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厂家型号	NTHL080N120SC1A_V01
文件大小	363.09Kbytes
页面数量	7页
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ONSEMI

Features

• Typ. RDS(on) = 80 m

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 56 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 80 pF)

• 100 UIL Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC−DC Converter

• Boost Inverter

NTHL080N120SC1A_V01供应商...

更新时间：2025-10-13 9:13:00

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