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NTHL060N090SC1_V01中文资料

厂家型号

NTHL060N090SC1_V01

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7

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 60 mohm, 900V, M2, TO-247-3L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTHL060N090SC1_V01数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 60 m @ VGS = 15 V

• Typ. RDS(on) = 43 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 87 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 113 pF)

• 100 UIL Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC−DC Converter

• Boost Inverter

更新时间:2025-10-13 8:01:00
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