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NTGD4161PT1G中文资料

厂家型号

NTGD4161PT1G

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67.3Kbytes

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5

功能描述

Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6

MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTGD4161PT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTGD4161PT1G

  • 功能描述

    MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-11 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
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原厂渠道 可含税出货
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原装正品 可含税交易
NK/南科功率
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SOT23-6
3000
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