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NSS40200UW6T1G中文资料

厂家型号

NSS40200UW6T1G

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66.2Kbytes

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5

功能描述

40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

两极晶体管 - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE(SAT) TR

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NSS40200UW6T1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NSS40200UW6T1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE(SAT) TR

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-11 9:23:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
DFN-6(2x2)
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ONSEMI/安森美
25+
WDFN-6
32000
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onsemi
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ON/安森美
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