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NSS20101JT1G中文资料

厂家型号

NSS20101JT1G

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6

功能描述

NPN Transistor

两极晶体管 - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NSS20101JT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NSS20101JT1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-8 8:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SC-89-3
3022
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ONSEMI/安森美
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ONSEMI/安森美
24+
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只做原装正品

NSS20101JT1G 价格

参考价格:¥0.2671

型号:NSS20101JT1G 品牌:ONSemi 备注:这里有NSS20101JT1G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NSS20101JT1G批发/采购报价,NSS20101JT1G行情走势销售排排榜,NSS20101JT1G报价。