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位置：NSS1C201L > NSS1C201L详情

NSS1C201L中文资料

NSS1C201L
厂家型号

NSS1C201L
文件大小

78.85Kbytes
页面数量

6页
功能描述

100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) Transistor

两极晶体管 - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

NSS1C201L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NSS1C201L

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

NSS1C201L供应商...

更新时间：2025-10-6 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
NSS1C201LT1G
ONSEMI/安森美
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32000
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NSS1C201LT1G 价格

参考价格：￥0.7169

型号：NSS1C201LT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NSS1C201L多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NSS1C201L批发/采购报价，NSS1C201L行情走势销售排排榜，NSS1C201L报价。

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