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NSBA114YDXV6T1G中文资料

厂家型号

NSBA114YDXV6T1G

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124.34Kbytes

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8

功能描述

Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 10 k, R2 = 47 k

开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual PNP

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NSBA114YDXV6T1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NSBA114YDXV6T1G

  • 功能描述

    开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual PNP

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性

    NPN/PNP

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    200 mA

  • 最大工作频率

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V

  • 集电极连续电流

    150 mA

  • 功率耗散

    200 mW

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-12-2 23:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-563
3727
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ONSEMI/安森美
2025+
4000
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21+
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onsemi
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SOT-563-6
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ON/安森美
24+
SOT-563
20000
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25+
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25+
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ON(安森美)
24+
N/A
18000
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ON(安森美)
2511
标准封装
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SOT-563
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