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NJVMJB44H11T4G中文资料

厂家型号

NJVMJB44H11T4G

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7

功能描述

Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount

两极晶体管 - BJT BIP NPN 8A 80V TR

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NJVMJB44H11T4G数据手册规格书PDF详情

Complementary power transistors are for general purpose power

amplification and switching such as output or driver stages in

applications such as switching regulators, converters and power

amplifiers.

Features

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A

• Fast Switching Speeds

• Complementary Pairs Simplifies Designs

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

Machine Model, C > 400 V

• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• Pb−Free Packages are Available

NJVMJB44H11T4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NJVMJB44H11T4G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 8A 80V TR

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-12 14:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
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R
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onsemi
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