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NCV1413BDR2G中文资料

厂家型号

NCV1413BDR2G

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76.22Kbytes

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8

功能描述

High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays

达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NCV1413BDR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NCV1413BDR2G

  • 功能描述

    达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-26 14:17:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
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24+
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2500
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渠道现货库存-原装正品
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NCV1413BDR2G 价格

参考价格:¥1.5143

型号:NCV1413BDR2G 品牌:ONSemi 备注:这里有NCV1413BDR2G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NCV1413BDR2G批发/采购报价,NCV1413BDR2G行情走势销售排排榜,NCV1413BDR2G报价。