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MSB709-RT1G中文资料

厂家型号

MSB709-RT1G

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39Kbytes

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4

功能描述

PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

MSB709-RT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MSB709-RT1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-9 18:51:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
25+
原装
32000
ONSEMI/安森美全新特价MSB709-RT1G即刻询购立享优惠#长期有货
onsemi
25+
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ONSEMI/安森美
24+
SOT23
60000
ONSEMI/安森美
2450+
SOT23-3
6540
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