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MJE271G中文资料

厂家型号

MJE271G

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4

功能描述

Complementary Silicon Power Transistors

两极晶体管 - BJT 2A 100V Bipolar Power PNP

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

MJE271G数据手册规格书PDF详情

Features

• High Safe Operating Area

IS/B @ 40 V, 1.0 s = 0.375 A

• Collector−Emitter Sustaining Voltage

VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)

• High DC Current Gain

hFE @ 120 mA, 10 V = 1500 (Min)

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

MJE271G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJE271G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 2A 100V Bipolar Power PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-27 9:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
TO-126
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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25+
TO-225AA TO-126-3
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
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MJE271G 价格

参考价格:¥1.2443

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