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MJE13005G中文资料

厂家型号

MJE13005G

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7

功能描述

SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistors

两极晶体管 - BJT 4A 400V 75W NPN

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

MJE13005G数据手册规格书PDF详情

These devices are designed for high−voltage, high−speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications such as Switching Regulator’s, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.

Features

• VCEO(sus)400 V

• Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ TC= 100°C

• Inductive Switching Matrix 2 to 4 A, 25 and 100°C tc@ 3A, 100°C is 180 ns (Typ)

• 700 V Blocking Capability

• SOA and Switching Applications Information

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

MJE13005G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJE13005G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 4A 400V 75W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-9 18:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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