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MJD5731T4G中文资料

MJD5731T4G
厂家型号

MJD5731T4G
文件大小

119.75Kbytes
页面数量

5页
功能描述

High Voltage PNP Silicon Power Transistors

两极晶体管 - BJT 1A 350V 15W PNP
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

MJD5731T4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD5731T4G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 1A 350V 15W PNP

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJD5731T4G供应商...

更新时间：2026-2-4 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MJD5731T4G 价格

参考价格：￥1.4862

型号：MJD5731T4G 品牌：ON 备注：这里有MJD5731T4G多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD5731T4G批发/采购报价，MJD5731T4G行情走势销售排排榜，MJD5731T4G报价。

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