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MJD112-001中文资料

MJD112-001
厂家型号

MJD112-001
文件大小

101.63Kbytes
页面数量

8页
功能描述

Complementary Darlington Power Transistors

达林顿晶体管 2A 100V Bipolar
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

MJD112-001产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD112-001

  • 功能描述

    达林顿晶体管 2A 100V Bipolar

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

MJD112-001供应商...

更新时间：2025-12-3 14:43:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
MJD112-001
onsemi
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