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MJB41CT4G中文资料

厂家型号

MJB41CT4G

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6

功能描述

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

两极晶体管 - BJT 6A 100V 65W NPN

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

MJB41CT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJB41CT4G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 6A 100V 65W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-26 12:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-263
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原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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MJB41CT4G 价格

参考价格:¥2.8252

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