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MBT3904DW1T1G中文资料

厂家型号

MBT3904DW1T1G

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8

功能描述

Dual General Purpose Transistors

两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

MBT3904DW1T1G数据手册规格书PDF详情

The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin−off of our popular SOT−23/SOT−323 three−leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT−363 six−leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium.

Features

• hFE, 100−300

• Low VCE(sat), ≤ 0.4 V

• Simplifies Circuit Design

• Reduces Board Space

• Reduces Component Count

• Available in 8 mm, 7−inch/3,000 Unit Tape and Reel

• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

MBT3904DW1T1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MBT3904DW1T1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-1 19:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
25+
SOT363
90000
ONSEMI/安森美全新特价MBT3904DW1T1G即刻询购立享优惠#长期有货
onsemi
1243+
SOT363
5337
全新原装
ONSEMI/安森美
24+
SOT-363
600000
郑重承诺只做原装进口现货
onsemi(安森美)
25
SOT-363
3000
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ONSEMI
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SOT-363
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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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SOIC
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郑重承诺只做原装进口现货

MBT3904DW1T1G/BKN 价格

参考价格:¥0.3039

型号:MBT3904DW1T1G/BKN 品牌:ON Semiconductor 备注:这里有MBT3904DW1T1G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MBT3904DW1T1G批发/采购报价,MBT3904DW1T1G行情走势销售排排榜,MBT3904DW1T1G报价。