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ECH8659-TL-H中文资料
ECH8659-TL-H数据手册规格书PDF详情
This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements.
Features
• 4V drive
• Composite type, Facilitating high-density mounting
• ESD Diode-Protected Gate
• Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance
Typical Applications
• LiB Protection Switch
• Motor Drive
ECH8659-TL-H产品属性
- 类型
描述
- 型号
ECH8659-TL-H
- 功能描述
MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列
-
- 产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装
1
- 系列
- FET
- 型
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
- 功率 -
- 最大
1.4W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
- 包装
Digi-Reel®
- 产品目录页面
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
8-SMD 扁平引线 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
6300 |
原装现货,实单价格可谈 |
|||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
ECH8 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
ON |
最新 |
1000 |
原装正品现货 |
||||
ON |
24+/25+ |
2895 |
原装正品现货库存价优 |
||||
SANYO |
24+ |
ECS8 |
5000 |
全现原装公司现货 |
|||
ON/安森美 |
2447 |
ECS8 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
ECS8 |
11242 |
原装正品,假一罚十! |
|||
ON/安森美 |
25+ |
ECS8 |
11242 |
原装正品,假一罚十! |
ECH8659-TL-H 价格
参考价格：￥1.8264
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