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BVSS123LT1G中文资料

厂家型号

BVSS123LT1G

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5

功能描述

Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts

MOSFET NFET 100V 170MA 6OH

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

BVSS123LT1G数据手册规格书PDF详情

Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts

N−Channel SOT−23

Features

• Pb−Free Packages are Available

BVSS123LT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BVSS123LT1G

  • 功能描述

    MOSFET NFET 100V 170MA 6OH

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-15 17:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
23+
NA
10486
专做原装正品,假一罚百!
ONSEMI
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SMD
880000
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SOT-23
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全新原装正品
ON/安森美
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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23+
SOT23
15000
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