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BUV22中文资料

厂家型号

BUV22

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4

功能描述

SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

两极晶体管 - BJT 40A 250V 250W NPN

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

BUV22数据手册规格书PDF详情

This device is designed for high speed, high current, high power applications.

Features

• High DC Current Gain:

hFE min = 20 at IC = 10 A

• Low VCE(sat), VCE(sat)

max = 1.0 V at IC = 10 A

• Very Fast Switching Times:

TF max = 0.35 s at IC = 20 A

• Pb−Free Package is Available*

BUV22产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUV22

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 40A 250V 250W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-28 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-204
977
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ONSEMI/安森美
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5000
原装正品,假一罚十
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24+/25+
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原装正品现货库存价优

BUV22G 价格

参考价格:¥39.1476

型号:BUV22G 品牌:ONSemi 备注:这里有BUV22多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BUV22批发/采购报价,BUV22行情走势销售排排榜,BUV22报价。