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BUL45G中文资料

厂家型号

BUL45G

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8

功能描述

NPN Silicon Power Transistor

两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

BUL45G数据手册规格书PDF详情

NPN Silicon Power Transistor High Voltage SWITCHMODE Series

Designed for use in electronic ballast (light ballast) and in SWITCHMODE Power supplies up to 50 W.

Features

• Improved Efficiency Due to:

♦ Low Base Drive Requirements (High and Flat DC Current Gain hFE)

♦ Low Power Losses (On--State and Switching Operations)

♦ Fast Switching: tfi = 100 ns (typ) and tsi = 3.2 μs (typ)

♦ @ IC = 2.0 A, IB1 = IB2 = 0.4 A

• Full Characterization at 125°C

• Tight Parametric Distributions Consistent Lot-to-Lot

• Pb−Free Package is Available*

BUL45G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUL45G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-1 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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