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BU406G中文资料

厂家型号

BU406G

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3

功能描述

NPN Power Transistors

两极晶体管 - BJT 7A 200V 60W NPN

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

BU406G数据手册规格书PDF详情

NPN SILICON POWER TRANSISTORS 7 AMPERES − 60 WATTS 150 AND 200 VOLTS

These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s.

Features

• High Voltage: VCEV = 330 or 400 V

• Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max)

• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 A

• Pb−Free Packages are Available*

BU406G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BU406G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 7A 200V 60W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-1 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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BU406G 价格

参考价格:¥3.2453

型号:BU406G 品牌:ONSemi 备注:这里有BU406G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BU406G批发/采购报价,BU406G行情走势销售排排榜,BU406G报价。