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BTB12-800CW3G中文资料

厂家型号

BTB12-800CW3G

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92.62Kbytes

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6

功能描述

Silicon Bidirectional Thyristors

双向可控硅 12A TRIAC 35mA IGT

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

BTB12-800CW3G数据手册规格书PDF详情

Triacs Silicon Bidirectional Thyristors

Designed for high performance full‐wave ac control applications where high noise immunity and high commutating di/dt are required.

Features

•Blocking Voltage to 800 V

•On‐State Current Rating of 12 Amperes RMS at 25°C

•Uniform Gate Trigger Currents in Three Quadrants

•High Immunity to dV/dt - 1500 V/s minimum at 125°C

•Minimizes Snubber Networks for Protection

•Industry Standard TO‐220AB Package

•High Commutating dI/dt - 3.0 A/ms minimum at 125°C

•These are Pb-Free Devices

BTB12-800CW3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BTB12-800CW3G

  • 功能描述

    双向可控硅 12A TRIAC 35mA IGT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 开启状态

    RMS

  • 电流(It_RMS)

    16 A

  • 不重复通态电流

    120 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下)

    5 uA

  • 开启状态电压

    保持电流(Ih

  • 最大值)

    45 mA

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 栅触发电流(Igt)

    1.75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220AB

更新时间:2025-10-9 9:58:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-220
907
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ON
24+
TO-2203LEADSTANDA
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