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BTA12-600BW3G中文资料

厂家型号

BTA12-600BW3G

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146.44Kbytes

页面数量

6

功能描述

Triacs Silicon Bidirectional Thyristors

双向可控硅 12A 50mA 600V IGT 3 QUAD INTERNL ISLTD

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

BTA12-600BW3G数据手册规格书PDF详情

Designed for high performance full−wave ac control applications where high noise immunity and high commutating di/dt are required.

Features

• Blocking Voltage to 800 V

• On-State Current Rating of 12 A RMS at 25°C

• Uniform Gate Trigger Currents in Three Quadrants

• High Immunity to dV/dt − 2000 V/s minimum at 125°C

• Minimizes Snubber Networks for Protection

• Industry Standard TO-220AB Package

• High Commutating dI/dt − 2.5 A/ms minimum at 125°C

• Internally Isolated (2500 VRMS)

• These are Pb−Free Devices

BTA12-600BW3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BTA12-600BW3G

  • 功能描述

    双向可控硅 12A 50mA 600V IGT 3 QUAD INTERNL ISLTD

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 开启状态

    RMS

  • 电流(It_RMS)

    16 A

  • 不重复通态电流

    120 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下)

    5 uA

  • 开启状态电压

    保持电流(Ih

  • 最大值)

    45 mA

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 栅触发电流(Igt)

    1.75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220AB

更新时间:2025-11-25 17:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
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BTA12-600BW3G 价格

参考价格:¥3.1143

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