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BCW68GLT3G中文资料

厂家型号

BCW68GLT3G

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5

功能描述

General Purpose Transistor

两极晶体管 - BJT GENRL TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

BCW68GLT3G数据手册规格书PDF详情

General Purpose Transistor

PNP Silicon

Features

• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

BCW68GLT3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BCW68GLT3G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT GENRL TRANSISTOR

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-24 10:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-23(TO-236)
7957
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ONSEMI/安森美
25+
PLCC-28
32000
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onsemi(安森美)
25
SOT-23-3
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SOT-23-3
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ONSemiconductor
24+
NA
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三年内
1983
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