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BC858CDW1T1G中文资料

厂家型号

BC858CDW1T1G

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7

功能描述

Dual General Purpose Transistors

两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

BC858CDW1T1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC858CDW1T1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-17 13:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
24+
SOT363
60000
全新原装现货
ONSEMI/安森美
2511
SOT-363
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
ONSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
ON/安森美
23+
SOT-363
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
LRC
24+
SC-88SOT-363
30000
ON
24+
SOT-363
65300
一级代理/放心购买!
ON
17PB
SOT363
63000
现货
ON/安森美
23+
SOT-363
50000
全新原装正品现货,支持订货
on
24+
500000
行业低价,代理渠道
ON/安森美
22+
SOT363
30000
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