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BC848CDXV6T1G中文资料

厂家型号

BC848CDXV6T1G

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5

功能描述

Dual General Purpose Transistors

两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

BC848CDXV6T1G数据手册规格书PDF详情

Dual General Purpose Transistors

NPN Duals

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−563 which is designed for low power surface mount applications.

Features

• These are Pb−Free Devices

BC848CDXV6T1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC848CDXV6T1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-27 15:09:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
2511
SOT-563
360000
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onsemi
25+
SOT-563 SOT-666
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