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74HCT08DR2G中文资料

厂家型号

74HCT08DR2G

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148.09Kbytes

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7

功能描述

Quad 2-Input AND Gate With LSTTL?묬ompatible Inputs High?뭁erformance Silicon?묰ate CMOS

逻辑门 QUAD 2 INPT AND GATE

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

74HCT08DR2G数据手册规格书PDF详情

Quad 2-Input AND Gate

With LSTTL−Compatible Inputs

High−Performance Silicon−Gate CMOS

The 74HCT08 is identical in pinout to the LS08. The device has TTL−compatible inputs.

Features

• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads

• TTL/NMOS−Compatible Input Levels

• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL

• Operating Voltage Range: 4.5 to 5.5 V

• Low Input Current: 1.0 μA

• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices

• In Compliance With the JEDEC Standard No. 7A Requirements

• ESD Performance: HBM > 2000 V; Machine Model > 200 V

• Chip Complexity: 24 FETs or 6 Equivalent Gates

• These are Pb−Free Devices

74HCT08DR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    74HCT08DR2G

  • 功能描述

    逻辑门 QUAD 2 INPT AND GATE

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 产品

    OR

  • 逻辑系列

    LVC

  • 栅极数量

    2

  • 线路数量(输入/输出)

    2/1

  • 高电平输出电流

    - 16 mA

  • 低电平输出电流

    16 mA

  • 传播延迟时间

    3.8 ns

  • 电源电压-最大

    5.5 V

  • 电源电压-最小

    1.65 V

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DCU-8

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-1 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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