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30C02MH-TL-H中文资料

厂家型号

30C02MH-TL-H

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6

功能描述

Bipolar Transistor 30V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single MCPH3

两极晶体管 - BJT BIP NPN 30V 0.7A

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

30C02MH-TL-H数据手册规格书PDF详情

Bipolar Transistor

30V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single MCPH3

Features

• Large current capacity

• Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance)) : RCE(sat) typ=330mΩ [IC=0.7A, IB=35mA]

• Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products

• Small ON-resistance (Ron)

• Halogen free compliance

Applications

• Low-frequency Amplifier, high-speed switching, small motor drive

30C02MH-TL-H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    30C02MH-TL-H

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 30V 0.7A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-8 14:39:00
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