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2SB1121S-TD-E中文资料

厂家型号

2SB1121S-TD-E

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4

功能描述

Bipolar Transistor -25V, -2A, Low VCE(sat) PNP Single PCP

两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 25V

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

2SB1121S-TD-E数据手册规格书PDF详情

Features

• Adoption of FBET, MBIT processes

• Large current capacity and wide SOA

• Low collector to emitter saturation voltage

• Fast switching speed

• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

Applications

• Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment

2SB1121S-TD-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1121S-TD-E

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 25V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-30 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-89
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onsemi
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原装现货,实单价格可谈
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