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2N5551RL1G中文资料

2N5551RL1G
厂家型号

2N5551RL1G
文件大小

88.88Kbytes
页面数量

6页
功能描述

Amplifier Transistors NPN Silicon

两极晶体管 - BJT 600mA 180V NPN
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

2N5551RL1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5551RL1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 180V NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N5551RL1G供应商...

更新时间：2026-2-9 9:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
2N5551RL1G
ONSEMI
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2N5551RL1G 价格

参考价格：￥0.2983

型号：2N5551RL1G 品牌：ONSemi 备注：这里有2N5551RL1G多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N5551RL1G批发/采购报价，2N5551RL1G行情走势销售排排榜，2N5551RL1G报价。

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