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OSG65R900DF

高压GreenMOS

ORIENTAL

东方马达

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =6.2mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

650V 0.90ohm N-channel MOSFET

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MGCHIP

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Super Junction Power MOSFET ll

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NCEPOWER

新洁能

N-Channel Super Junction Power MOSFET ll

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NCEPOWER

新洁能

更新时间:2026-1-2 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ORIENTAL SEMI(东微)
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