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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.58Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

600V0.58(ohm)N-channelMOSFET

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更新时间:2024-4-25 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAGNACHIP/美格纳
20+
SOT252
2974
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21+
SOT252
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原厂订货价格优势,可开13%的增值税票
MAGNACHIP/美格纳
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