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位置：首页 > IC中文资料 > OPA2333P

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
OPA2333P

OPA2333P 1.8-V, microPower, Zero-Drift Operational Amplifier

1 Features 1• Low Offset Voltage: 10 μV (Maximum) • Zero Drift: 0.05 μV/°C (Maximum) • Specified Start-Up Time: 500 μs (Maximum) • 0.01-Hz to 10-Hz Noise: 1.1 μVPP • Quiescent Current: 17 μA • Single-Supply Operation • Supply Voltage: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input/Output • microSize

TI

德州仪器

OPA2333P

GBW 大于 300kHz 的业内极致小尺寸、低功耗、高精度双路运算放大器

OPA2333P 是一款 CMOS 运算放大器，其使用专有自动校准技术，可提供极低的失调电压（10µV，最大值），同时随时间推移和温度变化实现接近于零的漂移。这种高精度、低静态电流的微型放大器可提供高阻抗输入（共模范围超出电源轨电压 100mV）和轨至轨输出（摆幅在电源轨的 50mV 范围内）。此器件可以使用低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的单电源或双电源，针对低电压、单电源运行情况进行了优化。\n\n此外，OPA2333P 还 具有 额定最大启动时间。该额定启动时间可确保放大器供电后 500µs 时间范围内具有高精度性能，从而实现动态电源运行下的可靠耐用性 • 低失调电压：10µV（最大值）\n• 零温漂：0.05µV/°C（最大值） \n• 额定启动时间：500µs（最大值）\n• 0.01Hz 至 10Hz 噪声：1.1µVPP \n• 静态电流：17µA\n• 单电源供电\n• 电源电压：1.8V 至 5.5V\n• 轨到轨输入/输出\n• 微型封装尺寸：2mm × 2mm WSON;

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德州仪器

OPA2333P

1.8-V, microPower, CMOS Operational Amplifier, Zero-Drift

文件：1.28915 Mbytes Page：26 Pages

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德州仪器

OPA2333PIDSGR

OPA2333P 1.8-V, microPower, Zero-Drift Operational Amplifier

1 Features 1• Low Offset Voltage: 10 μV (Maximum) • Zero Drift: 0.05 μV/°C (Maximum) • Specified Start-Up Time: 500 μs (Maximum) • 0.01-Hz to 10-Hz Noise: 1.1 μVPP • Quiescent Current: 17 μA • Single-Supply Operation • Supply Voltage: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input/Output • microSize

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德州仪器

OPA2333PIDSGR.B

OPA2333P 1.8-V, microPower, Zero-Drift Operational Amplifier

1 Features 1• Low Offset Voltage: 10 μV (Maximum) • Zero Drift: 0.05 μV/°C (Maximum) • Specified Start-Up Time: 500 μs (Maximum) • 0.01-Hz to 10-Hz Noise: 1.1 μVPP • Quiescent Current: 17 μA • Single-Supply Operation • Supply Voltage: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input/Output • microSize

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德州仪器

OPA2333PIDSGRG4

OPA2333P 1.8-V, microPower, Zero-Drift Operational Amplifier

1 Features 1• Low Offset Voltage: 10 μV (Maximum) • Zero Drift: 0.05 μV/°C (Maximum) • Specified Start-Up Time: 500 μs (Maximum) • 0.01-Hz to 10-Hz Noise: 1.1 μVPP • Quiescent Current: 17 μA • Single-Supply Operation • Supply Voltage: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input/Output • microSize

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德州仪器

OPA2333PIDSGRG4.B

OPA2333P 1.8-V, microPower, Zero-Drift Operational Amplifier

1 Features 1• Low Offset Voltage: 10 μV (Maximum) • Zero Drift: 0.05 μV/°C (Maximum) • Specified Start-Up Time: 500 μs (Maximum) • 0.01-Hz to 10-Hz Noise: 1.1 μVPP • Quiescent Current: 17 μA • Single-Supply Operation • Supply Voltage: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input/Output • microSize

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德州仪器

OPA2333PIDSGT

OPA2333P 1.8-V, microPower, Zero-Drift Operational Amplifier

1 Features 1• Low Offset Voltage: 10 μV (Maximum) • Zero Drift: 0.05 μV/°C (Maximum) • Specified Start-Up Time: 500 μs (Maximum) • 0.01-Hz to 10-Hz Noise: 1.1 μVPP • Quiescent Current: 17 μA • Single-Supply Operation • Supply Voltage: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input/Output • microSize

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德州仪器

OPA2333PIDSGT.B

OPA2333P 1.8-V, microPower, Zero-Drift Operational Amplifier

1 Features 1• Low Offset Voltage: 10 μV (Maximum) • Zero Drift: 0.05 μV/°C (Maximum) • Specified Start-Up Time: 500 μs (Maximum) • 0.01-Hz to 10-Hz Noise: 1.1 μVPP • Quiescent Current: 17 μA • Single-Supply Operation • Supply Voltage: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input/Output • microSize

TI

德州仪器

OPA2333PIDSGR

1.8-V, microPower, CMOS Operational Amplifier, Zero-Drift

文件：1.28915 Mbytes Page：26 Pages

TI

德州仪器

OPA2333PIDSGT

1.8-V, microPower, CMOS Operational Amplifier, Zero-Drift

文件：1.28915 Mbytes Page：26 Pages

TI

德州仪器

KSC2333

High Speed Switching Application

High Speed Switching Application • Low Collector Saturation Voltage • Specified of Reverse Biased SOA With Inductive Load

FAIRCHILD

仙童半导体

NTE2333

Silicon NPN Power Transistor for Switching Power Applications

Description: The NTE2333 is a silicon NPN Power Transistor in a TO220 package designed for use in 220V line–operated Switchmode Power supplies and electronic light ballasts. Features: • Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements: High and Flat DC Current Gain hFE

NTE

RF2333

GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

Product Description The RF2333 is a general purpose, low-cost RF amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as an easily-cascadable 50Ω gain block. Applications include IF and RF amplifica

RFMD

威讯联合

RF2333PCBA

GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

Product Description The RF2333 is a general purpose, low-cost RF amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as an easily-cascadable 50Ω gain block. Applications include IF and RF amplifica

RFMD

威讯联合

SI2333DS

丝印代码：E3***；P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

文件：243.12 Kbytes Page：3 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

OPA2333P产品属性

  • 类型

    描述

  • Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：

    0.01

  • GBW (Typ) (MHz)：

    0.35

  • Features：

    EMI Hardened

  • Slew rate (Typ) (V/us)：

    0.16

  • Rail-to-rail：

    In

  • Offset drift (Typ) (uV/C)：

    0.02

  • Iq per channel (Typ) (mA)：

    0.017

  • Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：

    55

  • CMRR (Typ) (dB)：

    130

  • Rating：

    Catalog

  • Operating temperature range (C)：

    -40 to 125

  • Input bias current (Max) (pA)：

    200

  • Output current (Typ) (mA)：

    5

  • Architecture：

    CMOS

OPA2333P供应商更多...

更新时间：2026-8-2 8:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市腾亿芯科技有限公司
OPA2333PIDSGR
TI
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WSON8
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原装
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深圳市高捷芯城科技有限公司
OPA2333PIDSGT
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深圳市米数科技有限公司
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深圳市骏凯诚科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市纳艾斯科技有限公司
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深圳市百诺芯科技有限公司
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深圳市赛特兴科技有限公司
OPA2333PIDSGR
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