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DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,6.2A,RDS(ON)=24mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=34mW@VGS=2.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TSSOP-8Package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

Single-phaseenergymeterwithtamperdetectionbasedonST7FLITE2x

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

ClockgeneratorIC

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ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

DVD-videoReferenceClockGeneratorsforAudio/VideoEquipments

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ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET
更新时间:2024-6-18 22:30:01
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