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1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

2. Features and benefits

• Logic level compatible

• Very fast switching

• Trench MOSFET technology

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• Low-side loadswitch

• Switching circuits

PMV50ENEA供应商...

更新时间：2026-3-5 22:30:00

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