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PHU66NQ03LT中文资料

厂家型号

PHU66NQ03LT

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96.22Kbytes

页面数量

13

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

MOSFET MOSFET

数据手册

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生产厂商

恩XP

PHU66NQ03LT数据手册规格书PDF详情

General description

Logic level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology

Features

■ Logic level threshold

■ Low on-state resistance.

Applications

■ DC-to-DC converters

■ General purpose switching.

PHU66NQ03LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHU66NQ03LT

  • 功能描述

    MOSFET MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-5 14:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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