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BUK9E3R2-40B中文资料

厂家型号

BUK9E3R2-40B

文件大小

331.43Kbytes

页面数量

16

功能描述

TrenchMOS logic level FET

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

NXP Semiconductors

简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

BUK9E3R2-40B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUK9E3R2-40B

  • 功能描述

    MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-5-14 14:39:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP
23+
TO-262
11846
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