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BLF6G10LS-160RN中文资料

厂家型号

BLF6G10LS-160RN

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162.86Kbytes

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11

功能描述

Power LDMOS transistor

射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin

数据手册

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生产厂商

恩XP

BLF6G10LS-160RN数据手册规格书PDF详情

General description

160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz.

Features

Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 920 MHz and 960 MHz, a supply voltage of 32 V and an IDq of 1200 mA:

Average output power = 32 W

Power gain = 22.5 dB

Efficiency = 27

ACPR = −41 dBc

Easy power control

Integrated ESD protection

Excellent ruggedness

High efficiency

Excellent thermal stability

Designed for broadband operation (700 MHz to 1000 MHz)

Internally matched for ease of use

Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)

BLF6G10LS-160RN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLF6G10LS-160RN

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-10-16 13:58:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
25+
SOT-123
51
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BLF6G10LS-160RN,11 价格

参考价格:¥483.7603

型号:BLF6G10LS-160RN,11 品牌:NXP 备注:这里有BLF6G10LS-160RN多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BLF6G10LS-160RN批发/采购报价,BLF6G10LS-160RN行情走势销售排排榜,BLF6G10LS-160RN报价。