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BLD6G21L-50中文资料

厂家型号

BLD6G21L-50

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129.139Kbytes

页面数量

14

功能描述

TD-SCDMA 2010 MHz to 2025 MHz fully integrated Doherty transistor

MOSFET N-CH 65V 10.2A Trans MOSFET

数据手册

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生产厂商

恩XP

BLD6G21L-50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLD6G21L-50

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 65V 10.2A Trans MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-13 9:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
恩XP
2025+
SOT
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全新原厂原装产品、公司现货销售
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23+
SMD
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专注配单,只做原装进口现货
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SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
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1922+
8600
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多
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SOT1130
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
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全新原装正品现货,支持订货
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