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BC859BW中文资料

厂家型号

BC859BW

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7

功能描述

PNP general purpose transistors

两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11

数据手册

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生产厂商

恩XP

BC859BW数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

PNP transistor in a SOT323 plastic package.

NPN complements: BC849W and BC850W.

FEATURES

• Low current (max. 100 mA)

• Low voltage (max. 45 V).

APPLICATIONS

• Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment.

BC859BW产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC859BW

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-14 10:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
16+
SOT323
3000
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恩XP
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