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A2I09VD030GN中文资料

厂家型号

A2I09VD030GN

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23

功能描述

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

数据手册

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生产厂商

恩XP

A2I09VD030GN数据手册规格书PDF详情

The A2I09VD030N wideband integrated circuit is designed with on−chip

matching that makes it usable from 575 to 1300 MHz. This multi−stage

structure is rated for 48 to 55 V operation and covers all typical cellular base

station modulation formats.

Features

• On−chip matching (50 ohm input, DC blocked)

• Integrated quiescent current temperature compensation with

enable/disable function (1)

• Designed for digital predistortion error correction systems

• Optimized for Doherty applications

更新时间:2025-10-20 22:59:00
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