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74HCT2G00GD中文资料

厂家型号

74HCT2G00GD

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91.58Kbytes

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13

功能描述

Dual 2-input NAND gate

逻辑门 NAND Gate 2-Element 2-IN CMOS 8-Pin

数据手册

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生产厂商

恩XP

74HCT2G00GD数据手册规格书PDF详情

General description

The 74HC2G00 and 74HCT2G00 are high-speed Si-gate CMOS devices. They provide two 2-input NAND gates.

The HC device has CMOS input switching levels and supply voltage range 2 V to 6 V.

The HCT device has TTL input switching levels and supply voltage range 4.5 V to 5.5 V.

Features

■ Wide supply voltage range from 2.0 V to 6.0 V

■ Symmetrical output impedance

■ High noise immunity

■ Low power dissipation

■ Balanced propagation delays

■ Multiple package options

■ ESD protection:

◆ HBM JESD22-A114E exceeds 2000 V

◆ MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

■ Specified from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C

74HCT2G00GD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    74HCT2G00GD

  • 功能描述

    逻辑门 NAND Gate 2-Element 2-IN CMOS 8-Pin

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 产品

    OR

  • 逻辑系列

    LVC

  • 栅极数量

    2

  • 线路数量(输入/输出)

    2/1

  • 高电平输出电流

    - 16 mA

  • 低电平输出电流

    16 mA

  • 传播延迟时间

    3.8 ns

  • 电源电压-最大

    5.5 V

  • 电源电压-最小

    1.65 V

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DCU-8

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-30 10:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
22+
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9000
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